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职业还在尽力跟上摩尔定律，但除了制程工艺放缓之外，架构规划相同至关重要。得益于从平面型到鳍式场效应管的过渡，芯片功用在曩昔10年的提高还能牵强跟上摩尔定律。
从2012年发布第一代22nm制程工艺开端， 鳍式场效应管（FinFET）晶体管结构在半导体上现已运用挨近9年时刻，FinFET晶体管还将在未来几年持续扮演重要的人物。业界看好下一代盘绕栅极晶体管（GAAFET）在3nm及更先进制程上的运用，但运用全新的晶体管构型的价值十分巨大。
外媒指出，尽管台积电和三星两大晶圆代工厂在7nm或5nm工艺节点上供给巨大的产能，但台积电（TSMC）、三星（SANSUNG）和英特尔Intel）正在尽力霸占根据盘绕栅极晶体管（GAA）技能的3nm和2nm工艺节点。
据了解，GAAFET能带来更好的可扩展性、更快的开关时刻、更优的驱动电流以及更低的走漏。仅仅工艺老练的FinFET依然是半导体厂商重视的中心，包含台积电暂缓在5nm工艺上运用GAAFET，仍运用FinFET晶体管。但在台积电2020年研讨会上，其声称N3技能可在提高50%功用的一起下降30%功耗，工艺密度是N5的1.7倍。
早前音讯称，台积电计划在2024年前做好量产2nm制程的量产，条件是将凭借久经考验的、更可猜测的工艺节点，台积电有足够时刻去查验GAA-FET在2nm节点下的运用远景。Semiconductor Engineering称三星和英特尔也在尽力完结从3nm到2nm工艺节点的过渡，三星有望在2022年末前完结。TechSpot指出，GAAFET有许多类型，现在已知的是三星将选用根据纳米片的多桥沟道场效应晶体管（简称MBC-FET）的计划。
三星的MBC-FET可视作FinFET的旁边面翻转，特点是将栅极包含于衬底上成长的纳米硅片，而英特尔发表将于2025年选用根据“纳米丝带”（nanoribbons）的相似计划。在顶替鲍勃·斯旺（Bob Swan）的新任CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的带领下，英特尔或许可以加快向新工艺的转进。
此外，在FinFET和GAAFET携手并进的一起，芯片制作商还可能动用锗（Ge）、锑化镓（GaSb）、砷化铟（AsIn）等具有高迁移率特性的半导体资料。
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