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ballbet安卓:3D晶体管之父胡正明获IEEE最高荣誉他为摩尔定律续命十几年
发布时间:2023-09-30 14:59:31   来源:ballbet安卓版 作者:ballbet安卓版西甲赞助    点击:85

  

  胡正明获奖原因是他“开发半导体模型并将其投入生产实践,尤其是3D器材结构,使摩尔定律又继续了数十年”。摩尔也曾在2008年获得过IEEE荣誉奖章。

  胡正明于1999年开发出了FinFET,因而被称为3D晶体管之父。这项创造被看做是50多年来半导体技能的严重改变。

  当晶体管的尺度小于25纳米时,传统的平面场效应管的尺度现已没办法缩小。FinFET的出现将场效应管立体化,晶体管密度才干进一步加大,让摩尔定律得以维持下去。

  FinFET是现代纳米电子半导体器材制作的根底,现在7nm芯片运用的便是FinFET规划。

  IEEE荣誉奖章(IEEE Medal of Honor),创立于1917年,每年仅颁布一人,是国际电子电气工程学会的最高荣誉,也是国际电气电子工程学界的最高奖赏。

  此前仅有两位华人获得过该奖章,分别是贝尔实验室研发部前主任卓以和(1994年)、台积电前董事长张忠谋(2011年)。

  本年的奖项计划在5月15日在温哥华举行“的IEEE愿景、创新和应战峰会”上的年度IEEE荣誉仪式上颁布。

  胡正明1947年出生于北京,后移居台湾,1968年结业于台湾大学电机工程系。尔后赴美国留学,1973年获加州大学伯克利分校博士学位。

  自1976年以来,他一直是加州大学伯克利分校电气工程和计算机系的教授。他还投身产业界,曾担任半导体制作商安霸的董事会成员,后来于2001~2004年又担任台积电CTO。

  在学术方面,胡正明一共撰写了五本书,宣布了900篇研讨论文,并具有100多项美国专利。

  胡正明仍是IEEE Fellow、美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士,而且仍是中国科学院微电子所、清华大学等院校的荣誉教授。

  胡正明屡次获得过IEEE颁布的荣誉奖项,2016年当选硅谷工程师名人堂,并在当年由美国总统奥巴马颁布白宫国家技能创新奖。

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